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vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測器（0.5um-11um）
vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測器（0.5um-11um）
PEM系列（2-12μm紅外光電磁探測器、光平直入浸式）
特點(diǎn)：室溫下工作；無(wú)需偏置；光譜范圍（2-12µm）；D*(10.6 µm)達到2*107cmHz1/2/W；響應時(shí)間≤1ns；無(wú)閃動(dòng)噪聲；從直流到高頻工作；重量輕，耐用可靠；低成本；可根據客戶(hù)要求設計。
描述：PEM系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化使得在波長(cháng)為10.6微米可以達到*的使用狀態(tài)。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過(guò)半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。探測器由(Hg-Cd-Zn-Te)半導體經(jīng)過(guò)成分選擇和摻雜面處理而獲得，微型永磁鐵提供非常強的磁場(chǎng)。PEM系列的探測器非常適合10.6微米輻射的外差探測。無(wú)閃動(dòng)噪音，在整個(gè)2-12 µm光譜范圍內可以同時(shí)用于CW和低頻調制輻射?？梢园纯蛻?hù)定制器件的要求提供如單個(gè)各種規格的元件、四象限單元、多元件陣列、特定封裝和連接器。vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測器（0.5um-11um）
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PEM－10.6 | PEMI－10.6 |
*特性波長(cháng)λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5E7 ≥4E6 | ≥8E7 ≥2E7 |
電阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
響應時(shí)間τ | ns | ≤1 | ≤1 |
電阻 | Ω | 40－100 | 40－100 |
光學(xué)面積（長(cháng)×寬） 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場(chǎng), F/# | deg | 60,0.5 38,1.65 | |
